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【2h】

MBE Growth and In-Situ XPS Characterization of Silicon Interlayers on (111)B Surfaces for Passivation of GaAs Quantum Wire Devices

机译：用于Gaas量子线器件钝化的（111）B表面上的硅中间层的mBE生长和原位Xps表征

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Masamichi Akazawa; Hideki Hasegawa;
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年度 2016
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